赶在麒麟990发布前 谈华为功臣麒麟芯片发展史
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我们在价值平衡上，即使做成功了，（芯片）暂时没有用，也还是要继续做下去。一旦公司出现战略性的漏洞，我们不是几百亿美金的损失，而是几千亿美金的损失。我们公司积累了这么多的财富，这些财富可能就是因为那一个点，让别人卡住，最后死掉。……这是公司的战略旗帜，不能动掉的。——任正非 说到华为的自研芯片，大家首先从脑海里想到的肯定是海思麒麟系列。没错，正是因为有了自主研发的手机芯片——海思麒麟，华为才能快速占据市场制高点，并且成为了中国手机行业的NO1。 海思麒麟芯片，是华为与苹果，三星平起平坐的底气所在。那么海思麒麟从何时开始发展，又有着怎样的经历？下面，笔者将简述华为海思麒麟芯片研发的坎坷之路。在探讨之前，我们需要先了解芯片的制造过程。
一个芯片是怎样设计出来的？设计出来的芯片是怎么生产出来的？希望看完这篇文章你能有大概的了解。
一个看起来只有指甲盖那么大芯片，里面却包含着几千万甚至几亿的晶体管，想想就觉得不可思议，而在工程上这又是如何实现的呢？
芯片其主要成分就是硅。硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在。
硅(SiO2)一直被称为半导体制造产业的基础，就是因为它能够制成一个叫晶圆的物质，而首先我们需要把硅通过多步净化熔炼后变为硅锭(Ingot)。然后再用金刚石锯对硅锭进行切割，才会成为一片片厚薄均匀的晶圆。
接下来需要一样叫光刻胶的物质去铺满它的表面，光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学反应。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。
到了这一步还要继续往下走，我们还需要继续浇上光刻胶，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
然后就是重要的离子注入过程，在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。 离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂了不同的原子。到了这一步，晶体管已经基本完成。
然后我们就可以开始对它进行电镀了，操作方法是在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。 其中多余的铜需要先抛光掉，磨光晶圆表面。然后就可以开始搭建金属层了。晶体管级别，六个晶体管的组合，大约为500nm。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器的功能设计。
芯片表面看起来异常平滑，但事实上放大之后可以看到极其复杂的电路网络，打个比方，就像复杂的高速公路系统网。 接下来对晶圆进行功能性测试，完成后就开始晶圆切片(Slicing)。完好的切片就是一个处理器的内核(Die)，测试过程中有瑕疵的内核将被抛弃。
最后就是经封装，等级测试，再经过打包后，就是我们见到的芯片了。
简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。
这里讲到的芯片制造就如此复杂，更不要说工程师最开始的芯片功能设计了。由此我们也可以联想到，华为海思麒麟发展至今着实不容易，下面就让我们来简谈一下它的发展史吧。
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