2021年ASML将推下一代EUV光刻机 面向2nm、1nm工艺

目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。

此外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH。

不论NXE:3400B还是NXE:3400C，目前的EUV光刻机还是第一代，主要特点是物镜系统的NA（数值孔径）为0.33。

根据光刻机的分辨率公式，NA数字越大，光刻机精度还会更高，ASML现在还研发NA 0.55的新一代EUV光刻机EXE:5000系列，主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。

EXE:5000系列的下一代光刻机主要面向后3nm时代，目前三星、台积电公布的制程工艺路线图也就到3nm，2nm甚至1nm工艺都还在构想中，要想量产就需要新的制造装备，新一代EUV光刻机是重中之重。

根据ASML的信息，EXE:5000系列光刻机最快在2021年问世，不过首发的还是样机，真正用于生产还得等几年，乐观说法是2023年或者2024年才有可能看到NA 0.55的EXE:5000系列光刻机上市。

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（编辑：新余站长网）

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